| поискавой системы для электроныых деталей |
|
AN4192 датащи(PDF) 44 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AN4192 датащи(HTML) 44 Page - STMicroelectronics |
|
44 / 47 page ![]() Conclusion AN4192 44/47 Doc ID 023820 Rev 1 Figure 56. Phase node spike - VOUT chart 4 Conclusion The main electrical parameters for correct MOSFET selection in VRM applications are QG and intrinsic capacitances for high-side FETs, while RDS(on), QRR and CGD are crucial for LS FETs. AM16918V1 |
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |