| поискавой системы для электроныых деталей |
|
AN4192 датащи(PDF) 19 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AN4192 датащи(HTML) 19 Page - STMicroelectronics |
|
19 / 47 page ![]() AN4192 High-side MOSFET selection Doc ID 023820 Rev 1 19/47 Figure 20. Efficiency comparison @ Vout = 1.26 V The “asymmetric gate driving” approach can be used to reduce voltage stresses on the phase node without detrimental effects on the converter efficiency. The drawbacks are the number of devices (one resistor + one Schottky diode) and the cost increase. AM16464V1 |
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |