 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
NAND04GA3C2A датащи(PDF) 36 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
NAND04GA3C2A датащи(HTML) 36 Page - STMicroelectronics |
|
|
36 / 51 page  12 DC and AC parameters NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A 36/51 Table 18. DC Characteristics, VDDQ 3V Devices (1) Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Unit IDD1 Operating Current Sequential Read tRLRL minimum E=VIL, IOUT = 0 mA -10 20 mA IDD2 Program - - 20 30 mA IDD3 Erase - - 15 20 mA IDD4 Standby current (TTL) E=VIH, WP=0/VDD 1 mA IDD5 Standby Current (CMOS) E=VDD-0.2, WP=0/VDD - 10 50 µA ILI Input Leakage Current VIN= 0 to 3.6V - - ±10 µA ILO Output Leakage Current VOUT= 0 to 3.6V - - ±10 µA VIH Input High Voltage - 2.0 - VDD+0.3 V VIL Input Low Voltage - -0.3 - 0.8 V VOH Output High Voltage Level IOH = -400µA 2.4 - - V VOL Output Low Voltage Level IOL = 2.1mA - - 0.4 V IOL (RB) Output Low Current (RB) VOL = 0.4V 8 10 mA 1. DC Characteristics for VDDQ 1.8V devices are still to be determined. |
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
