| поискавой системы для электроныых деталей |
|
EDBA164B4PK-1DITF-R датащи(PDF) 89 Page - Micron Technology |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
EDBA164B4PK-1DITF-R датащи(HTML) 89 Page - Micron Technology |
|
89 / 152 page ![]() Figure 61: WRITE to Power-Down Entry CK_c CKE1 T0 T1 Tm Tm + 1 Tm + 2 Tm + 3 Tx Tx + 1 Tx + 2 Tx + 3 Tx + 4 Tx + 5 Tx + 6 CMD DQ DQS_c WRITE D IN D IN D IN D IN WL tWR tWR CK_t CKE1 T0 T1 Tm Tm +m1 Tm + 2 Tm + 3 Tm + 4 Tm + 5 Tx Tx + 1 Tx + 2 Tx + 3 Tx + 4 CMD DQ DQS_t WRITE D IN D IN D IN D IN D IN D IN D IN D IN WL tISCKE BL/2 BL/2 tISCKE BL = 4 BL = 8 CK_c DQS_c CK_t DQS_t Note: 1. CKE can be registered LOW at (WL + 1 + BL/2 + RU(tWR/tCK)) clock cycles after the clock on which the WRITE command is registered. 216-Ball and 220-Ball, Dual-Channel LPDDR2 SDRAM Power-Down 09005aef85eb530a 216b_220b_2ch_2e0e_embedded_lpddr2.pdf – Rev. F 08 /16 EN 89 Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice. © 2014 Micron Technology, Inc. All rights reserved. |
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |