| поискавой системы для электроныых деталей |
|
SCT040TO65G3 датащи(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SCT040TO65G3 датащи(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
|
4 / 15 page ![]() Table 7. Reverse SiC diode characteristics Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD(1) Continuous diode forward current TC = 25 °C - 35 A TC = 100 °C - 35 VSD Diode forward voltage ISD = 20 A, VGS = 0 V - 2.8 V trr Reverse recovery time ISD = 20 A, 1 kA/μs, VDD = 400 V - 14 ns Qrr Reverse recovery charge - 82 nC IRRM Reverse recovery current - 9.4 A 1. ISD is limited by package. SCT040TO65G3 Electrical characteristics DS14654 - Rev 1 page 4/15 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |