 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
NAND512R3A2C датащи(PDF) 35 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
NAND512R3A2C датащи(HTML) 35 Page - STMicroelectronics |
|
|
35 / 51 page  NAND512-A2C DC and AC parameters 35/51 M Figure 16. Equivalent testing circuit for AC characteristics measurement Table 18. DC characteristics, 1.8V devices(1) Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Unit IDD1 Operating Current Sequential Read tRLRL minimum E=VIL, IOUT = 0 mA -8 15 mA IDD2 Program - - 8 15 mA IDD3 Erase - - 8 15 mA IDD5 Stand-By Current (CMOS) E=VDD-0.2, WP=0/VDD - 10 50 µA ILI Input Leakage Current VIN= 0 to VDDmax - - ±10 µA ILO Output Leakage Current VOUT= 0 to VDDmax - - ±10 µA VIH Input High Voltage - VDD-0.4 - VDD+0.3 V VIL Input Low Voltage - -0.3 - 0.4 V VOH Output High Voltage Level IOH = -100µA VDD-0.1 - - V VOL Output Low Voltage Level IOL = 100µA - - 0.1 V IOL (RB) Output Low Current (RB) VOL = 0.1V 3 4 mA VLKO VDD Supply Voltage (Erase and Program lockout) - - - 1.1 V 1. Leakage currents double on stacked devices. Ai11085 NAND Flash CL 2Rref VDD 2Rref GND GND |
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
