| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SJ448 датащи(PDF) 9 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SJ448 датащи(HTML) 9 Page - Renesas Technology Corp |
|
9 / 10 page ![]() Data Sheet D10029EJ2V0DS 7 2SJ448 PACKAGE DRAWING (Unit: mm) 10.0 ± 0.3 3.2 ± 0.2 φ 4.5 ± 0.2 2.7 ± 0.2 2.5 ± 0.1 0.65 ± 0.1 1.5 ± 0.2 2.54 1.3 ± 0.2 2.54 0.7 ± 0.1 12 3 1.Gate 2.Drain 3.Source Isolated TO-220(MP-45F) Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage may be applied to this device. EQUIVALENT CIRCUIT Source Body Diode Gate Protection Diode Gate Drain |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |