| поискавой системы для электроныых деталей |
|
QPD1025LEVB2 датащи(PDF) 23 Page - Qorvo, Inc |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
QPD1025LEVB2 датащи(HTML) 23 Page - Qorvo, Inc |
|
23 / 27 page ![]() QPD1025L 1800 W, 65 V, 0.96 – 1.215GHz, GaN RF Input-Matched Transistor Datasheet Rev. K, May 2020 │ Subject to changewithout notice - 23 of 26- www.qorvo.com 0.96 – 1.215 GHz Application Circuit EVB1 - Schematic Bias-up Procedure Bias-down Procedure 2. Set VG to -5 V. 3. Turn off RF signal. 4. Set ID current limit to 4 A. 4. Turn off VD 5. Apply 65 V VD. 5. Wait 2 seconds to allow drain capacitor to discharge. 6. Slowly adjust VG until ID is set to 1.5 A. 6. Turn off VG 7. Apply RF. |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |