| поискавой системы для электроныых деталей |
|
STD110N8F6 датащи(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STD110N8F6 датащи(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 16 page ![]() DocID027274 Rev 1 5/16 STD110N8F6 Electrical characteristics 16 Table 7. Source-drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit VSD (1) 1. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 80 A, VGS = 0 - 1.2 V trr Reverse recovery time ISD = 80 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 64 V (see Figure 15) -30 ns Qrr Reverse recovery charge - 34 nC IRRM Reverse recovery current - 2.3 A |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |