| поискавой системы для электроныых деталей |
|
STW70N60DM6 датащи(PDF) 6 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STW70N60DM6 датащи(HTML) 6 Page - STMicroelectronics |
|
6 / 14 page ![]() Figure 7. Capacitance variations GADG081020181655CVR 10 4 10 3 10 2 10 1 10 -1 10 0 10 1 10 2 C (pF) VDS (V) CISS COSS CRSS f = 1 MHz Figure 8. Coss stored energy vs VDS GADG081020181656EOS 40 32 24 16 8 0 0 100 200 300 400 500 600 VDS (V) E (μJ) Figure 9. Normalized gate threshold voltage vs temperature GADG081020181654VTH 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 -75 -25 25 75 125 VGS(th) (norm.) Tj (°C) ID = 250 µA Figure 10. Normalized on-resistance vs temperature GADG081020181654RON 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 -75 -25 25 75 125 RDS(on) (norm.) Tj (°C) VGS = 10 V 0.0 Figure 11. Normalized V(BR)DSS vs temperature GADG081020181655BDV 1.10 1.05 1.00 0.95 0.90 0.85 -75 -25 25 75 125 V(BR)DSS (norm.) Tj (°C) ID = 1 mA Figure 12. Source-drain diode forward characteristics GADG081020181655SDF 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0 10 20 30 40 50 60 VSD (V) ISD (A) Tj = -50 °C Tj = 25°C Tj = 150 °C STW70N60DM6, STWA70N60DM6 Electrical characteristics (curves) DS12274 - Rev 4 page 6/14 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |