| поискавой системы для электроныых деталей |
|
AS6C4016 датащи(PDF) 8 Page - Alliance Semiconductor Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AS6C4016 датащи(HTML) 8 Page - Alliance Semiconductor Corporation |
|
8 / 12 page ![]() DATA RETENTION CHARACTERISTICS PARAMETER SYMBOL TEST CONDITION MIN. TYP. MAX. UNIT VCC for Data Retention VDR CE# VCC - 0.2V 1.5 - 5.5 V Data Retention Current IDR VCC = 1.5V, CE# VCC-0.2V Others at 0.2V or VCC-0.2V LLI - 2 30 µA Chip Disable to Data Retention Time tCDR See Data Retention Waveforms (below) 0 - - ns Recovery Time tR tRC* - - ns tRC* = Read Cycle Time DATA RETENTION WAVEFORM Low Vcc Data Retention Waveform (1) (CE# controlled) Vcc CE# VDR 1.5V CE# Vcc-0.2V Vcc(min.) VIH tR tCDR VIH Vcc(min.) Low Vcc Data Retention Waveform (2) (LB#, UB# controlled) Vcc LB#,UB# VDR 1.5V LB#,UB# Vcc-0.2V Vcc(min.) VIH tR tCDR VIH Vcc(min.) 512KX 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM January 2007 MARCH 2008 MARCH/2008, V 1.0 Alliance Memory Inc. Page 8 of 12 AS6C4016 256K X 16 BIT SUPER LOW POWER CMOS SRAM |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |