| поискавой системы для электроныых деталей |
|
RTP315N10F7 датащи(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
RTP315N10F7 датащи(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 13 page ![]() DocID026884 Rev 1 5/13 RTP315N10F7 Electrical characteristics 13 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD Source-drain current - 180 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current (pulsed) -720 A VSD (2) 2. Pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD=60 A, VGS=0 - 1.5 V trr Reverse recovery time ISD=180 A, di/dt = 100 A/µs, VDD=80 V, Tj=150°C (see Figure 15) -85 ns Qrr Reverse recovery charge - 200 nC IRRM Reverse recovery current - 4.7 A |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |