| поискавой системы для электроныых деталей |
|
GP1600FSM12 датащи(PDF) 3 Page - Dynex Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
GP1600FSM12 датащи(HTML) 3 Page - Dynex Semiconductor |
|
3 / 10 page ![]() GP1600FSM12 Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures. 3/10 www.dynexsemi.com C ies Input capacitance Module inductance V CE = 25V, VGE = 0V, f = 1MHz nH - - 15 180 - - - nF L M I F Diode forward current I FM Diode maximum forward current DC t p = 1ms A 1600 3200 - - - - V F Diode forward voltage I F =1600A 2.4 2.2 - A V I F =1600A, Tcase = 125˚C 2.5 2.3 - V ELECTRICAL CHARACTERISTICS Symbol Collector cut-off current I GES Gate leakage current Conditions V GE = 0V, VCE = VCES V GE = ±20V, VCE = 0V mA 2 8 Max. - Typ. - - Min. - Parameter T case = 25˚C unless stated otherwise. V 6.5 3.5 2.7 - Gate threshold voltage V GE = 15V, IC =1600A - 4.5 I C = 120mA, VGE = VCE Units I CES µA V GE(TH) V 4.0 3.2 - V GE = 15V, IC = 1600A, Tcase = 125˚C V V CE(SAT) Collector-emitter saturation voltage V GE = 0V, VCE = VCES, Tcase = 125˚C mA 75 - - |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |