| поискавой системы для электроныых деталей |
|
STH270N4F3-6 датащи(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STH270N4F3-6 датащи(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 19 page ![]() DocID16957 Rev 2 5/19 STH270N4F3-2, STH270N4F3-6 Electrical characteristics Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD (1) 1. Current limited by package Source-drain current - 180 A ISDM (2) 2. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current (pulsed) - 720 A VSD (3) 3. Pulsed: pulse duration=300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 180 A, VGS = 0 - 1.5 V trr Reverse recovery time ISD = 160 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 32 V, TJ=150 °C (see Figure 15) -70 ns Qrr Reverse recovery charge - 225 nC IRRM Reverse recovery current - 3.2 A |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |