| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXGN60N60C2 датащи(PDF) 4 Page - IXYS Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXGN60N60C2 датащи(HTML) 4 Page - IXYS Corporation |
|
4 / 5 page ![]() IXGN60N60C2 IXGN60N60C2D1 IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions and Dimensions. Fig. 12. Capacitance 10 100 1000 10000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 V CE - V olts Cies Coes Cres f = 1M Hz Fig. 11. Gate Charge 0 3 6 9 12 15 0 20 406080 100 120 140 160 Q G - nanoCoulombs V C E = 300V I C = 50A I G= 10m A Fig. 7. Transconductance 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0 25 50 75 100 125 150 175 200 I C - A mperes T J = -40º C 25 º C 125 º C Fig. 8. Dependence of Eoff on RG 0 1 2 3 4 5 6 24 68 10121416 R G - Ohms I C= 75A I C= 25A TJ = 125º C VGE = 15V VCE = 400V I C = 50A I C = 100A Fig. 9. Dependence of Eoff on IC 0 1 2 3 4 5 20 30 40 50 60 70 80 90 100 I C - A mperes R G= 2 Ohm s R G = 10 Ohm s - - - - - T J = 125 ºC V GE = 15V V C E = 400V T J = 25 ºC Fig. 10. Dependence of Eoff on Temperature 0 1 2 3 4 5 25 50 75 100 125 T J - Degrees Centigrade I C = 100A I C = 50A I C = 25A V GE = 15V V C E = 400V R G = 2 Ohm s R G= 10 Ohm s - - - - - I C = 75A Fig. 12. Capacitance 10 100 1,000 10,000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 VCE - Volts f = 1 MHz Cies Coes Cres IXYS REF: G_60N60C2(7Y)12-11-08-A |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |