| поискавой системы для электроныых деталей |
|
DMS3015SSS датащи(PDF) 4 Page - Diodes Incorporated |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
DMS3015SSS датащи(HTML) 4 Page - Diodes Incorporated |
|
4 / 6 page ![]() DMS3015SSS Document number: DS32096 Rev. 4 - 2 4 of 6 www.diodes.com September 2010 © Diodes Incorporated DMS3015SSS 0 5 10 15 20 25 30 Fig. 9 Typical C apacitance V , DRAIN -SOURCE VOLTAGE (V) DS 10 100 1,000 10,000 f = 1MHz C iss Coss Crss 0 5 10 15 20 25 30 Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Drain-Source Voltage V , DRAIN -SOURCE VOLTAGE (V) DS 1 10 100 1,000 10,000 T = 25°C A T = 85°C A T = 125°C A T = 150°C A 0 5 10 15 20 25 30 35 Q , OTAL GATE CHARGE (nC) Fig. 11 Gate-Source Voltage vs. Total Gate C harge g T 0 2 4 6 8 10 V = 15V I = 8.8A DS D Fig. 12 Transient Thermal Response t , PULSE DURATION TIME (s) 1 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1,000 0.001 0.01 0.1 1 T - T = P * R (t) Duty Cycle, D = t /t JA JA 12 θ R (t) = r(t) * θJA R R = 68°C/W θ θ JA JA P(pk) t1 t 2 D = 0.7 D = 0.5 D = 0.3 D = 0.05 D = 0.02 D = 0.01 D = 0.005 D = Single Pulse D = 0.9 D = 0.1 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |