| поискавой системы для электроныых деталей |
|
SSM4409GEM датащи(PDF) 3 Page - Silicon Standard Corp. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SSM4409GEM датащи(HTML) 3 Page - Silicon Standard Corp. |
|
3 / 5 page ![]() 08/04/2007 Rev.1.00 www.SiliconStandard.com 3 SSM4409GEM Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage Fig 4. Normalized On-Resistance v.s. Junction Temperature Fig 5. Forward Characteristic of Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s. Reverse Diode Junction Temperature 0 10 20 30 40 50 01 23 4 -V DS , Drain-to-Source Voltage (V) T A =25 o C - 10V -5.0 V -4.5 V -3.0 V V G = - 2.5 V 0 10 20 30 40 50 01 23 4 -V DS , Drain-to-Source Voltage (V) T A = 150 o C -10V - 5.0 V - 4.5 V - 3.0 V V G = - 2.5 V 6 11 16 21 26 24 68 10 -V GS , Gate-to-Source Voltage (V) I D =- 7 A T A =25 ℃ ℃ ℃ ℃ 0.6 1.0 1.4 1.8 -50 0 50 100 150 T j , Junction Temperature ( o C) I D =-7A V G =-10V 0.2 0.6 1.0 1.4 1.8 -50 0 50 100 150 T j , Junction Temperature ( o C) 0 2 4 6 8 10 12 14 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 -V SD , Source-to-Drain Voltage (V) T j =25 o C T j =150 o C |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |