| поискавой системы для электроныых деталей |
|
AP15G03DF датащи(PDF) 6 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AP15G03DF датащи(HTML) 6 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
6 / 10 page ![]() AP15G03DF 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET AP15G03DF RVE1.0 臺灣永源微電子科技有限公司 P-Typical Characteristics 18 22 26 30 34 2 4 6 8 10 VGS (V) ID 0 2 4 6 8 10 12 0.2 0.4 0.6 0.8 1 -VSD , Source-to-Drain Voltage (V) TJ=150℃ TJ=25℃ 0 0.5 1 1.5 -50 0 50 100 150 TJ ,Junction Temperature ( ℃) 0 . 5 1 . 0 1 . 5 2 . 0 - 5 0 0 50 100 150 TJ , Ju n ct i o n T e m p e r a t u r e ( ℃) Fig.1 Typical Output Characteristics Fig.2 On-Resistance v.s Gate-Source Voltage Fig.3 Forward Characteristics of Reverse diode Fig.4 Gate-Charge Characteristics Fig.5 Normalized VGS(th) v.s TJ Fig.6 Normalized RDSON v.s TJ =15A |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |