| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BZA109 датащи(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BZA109 датащи(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 12 page ![]() 1997 Dec 01 3 Philips Semiconductors Product specification 9-fold ESD transient voltage suppressor BZA109 THERMAL CHARACTERISTICS ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj =25 °C unless otherwise specified. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient one or more diodes loaded 100 K/W SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT Per diode VZ working voltage IZ = 250 µA 6.4 6.8 7.2 V VF forward voltage IF = 100 mA −− 1.1 V VZSM non-repetitive peak reverse voltage IZSM = 2.5 A; tp =1ms −− 10 V IH input high current VIN = 5.25 V −− 0.5 µA rdif differential resistance IZ = 250 µA −− 100 Ω SZ temperature coefficient of working voltage IZ =5mA − 3 − mV/K Cd diode capacitance see Fig.5 VR = 0; f = 1 MHz −− 200 pF VR = 5.25 V; f = 1 MHz −− 100 pF |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |