| поискавой системы для электроныых деталей |
|
STW18N60M2 датащи(PDF) 6 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STW18N60M2 датащи(HTML) 6 Page - STMicroelectronics |
|
6 / 27 page ![]() Figure 7. Capacitance variations C 100 10 1 0.1 10 VDS(V) (pF) 1 100 Ciss Coss Crss 1000 AM15841v1 Figure 8. Normalized gate threshold voltage vs temperature GIPG070815BQ6KLVTH 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 -75 -25 25 75 125 V GS(th) (norm.) T j (°C) I D = 250 µA Figure 9. Normalized on-resistance vs temperature GIPG070815BQ6KLRON 2.4 2.0 1.6 1.2 0.8 0.4 0 -75 -25 25 75 125 R DS(on) (norm.) T j (°C) V GS = 10 V Figure 10. Source-drain diode forward characteristics VSD 0 2 ISD(A) (V) 4 0 0.2 0.4 0.6 TJ=-50°C TJ=150°C TJ=25°C 0.8 6 1 1.2 1.4 8 10 12 AM15842v1 Figure 11. Normalized V(BR)DSS vs temperature GIPG070815BQ6KLBDV 1.12 1.08 1.04 1.00 0.96 0.92 0.88 -75 -25 25 75 125 V (BR)DSS (norm.) T j (°C) I D = 1 mA Figure 12. Output capacitance stored energy Eoss 0 VDS(V) (µJ) 200 100 500 0 1 2 3 300 400 600 4 5 6 AM15843v1 STB18N60M2, STI18N60M2, STP18N60M2, STW18N60M2 Electrical characteristics curves DS9714 - Rev 4 page 6/27 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |