| поискавой системы для электроныых деталей |
|
TF080P02M датащи(PDF) 3 Page - Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
TF080P02M датащи(HTML) 3 Page - Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co |
|
3 / 5 page ![]() Fig.1 Gate-Charge Characteristics Fig.2 Capacitance Characteristics Fig.3 Power Dissipation Derating Curve Fig.4 Typical output Characteristics Fig.5 Threshold Voltage V.S Junction Temperature Fig.6 Resistance V.S Drain Current 0 1 3 5 7 9 0 10 20 30 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 0 50 100 150 200 Temperature (。C) 0 50 100 0 0.5 1 1.5 2 Drain-Source voltage (V) 0 -0.5 -1.0 -50 50 150 Junction Temperature 18 15 12 9 6 3 0 0 25 Drain Current(A) 50 VGS=-2.5V VGS=-4.5V VDS=-15V ID=-15A 5000 4000 3000 2000 700 600 500 300 100 0 10 20 30 Ciss Coss Crss Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 3 www.sztuofeng.com Dec 2021 V1.0 TF080P02M |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |