| поискавой системы для электроныых деталей |
|
ISC080N10NM6 датащи(PDF) 1 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISC080N10NM6 датащи(HTML) 1 Page - Infineon Technologies AG |
|
1 / 12 page ![]() 1 ISC080N10NM6 Rev.2.0,2021-07-05 Final Data Sheet 1 2 3 4 5 6 7 8 4 3 2 1 5 6 7 8 TDSON-8FL(enlargedsourceinterconnection) Drain Pin 5-8 Gate Pin 4 Source Pin 1-3 *1 *1: Internal body diode MOSFET OptiMOSTM6Power-Transistor,100V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •MSL1classifiedaccordingtoJ-STD-020 Productvalidation FullyqualifiedaccordingtoJEDECforIndustrialApplications Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS 100 V RDS(on),max 8.05 m Ω ID 75 A Qoss 35 nC QG(0V...10V) 19 nC Qrr(100A/µs) 31 nC Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks ISC080N10NM6 PG-TDSON-8 FL 080N10N6 - |
Аналогичный номер детали - ISC080N10NM6 |
|
Аналогичное описание - ISC080N10NM6 |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |