| поискавой системы для электроныых деталей |
|
ISC080N10NM6 датащи(PDF) 8 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISC080N10NM6 датащи(HTML) 8 Page - Infineon Technologies AG |
|
8 / 12 page ![]() 8 OptiMOSTM6Power-Transistor,100V ISC080N10NM6 Rev.2.0,2021-07-05 Final Data Sheet Diagram9:Normalizeddrain-sourceonresistance Tj[°C] -80 -40 0 40 80 120 160 200 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 RDS(on)=f(Tj),ID=20A,VGS=10V Diagram10:Typ.gatethresholdvoltage Tj[°C] -80 -40 0 40 80 120 160 200 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 360 µA 36 µA VGS(th=f(Tj),VGS=VDS;parameter:ID Diagram11:Typ.capacitances VDS[V] 0 20 40 60 80 100 100 101 102 103 104 Ciss Coss Crss C=f(VDS);VGS=0V;f=1MHz Diagram12:Forwardcharacteristicsofreversediode VSD[V] 0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 100 101 102 103 25 °C 25 °C, max 175 °C 175 °C, max IF=f(VSD);parameter:Tj |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |