| поискавой системы для электроныых деталей |
|
AT25SF641 датащи(PDF) 67 Page - Dialog Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AT25SF641 датащи(HTML) 67 Page - Dialog Semiconductor |
|
67 / 76 page ![]() 66 AT25SF641 DS-25SF641–111E–3/2018 Note: 1. These parameters are characterized only. Figure 8-1. Power-up Timing and Voltage Levels 8.4 Power-up Timing and Write Inhibit Threshold Parameter Symbol Min Max Units VCC (min) to CS Low t VSL (1) 10 µs Time Delay Before Write Instruction t PUW (1) 1 10 ms Write Inhibit Threshold Voltage VWI(1) 1.0 2.3 V 8.5 DC Electrical Characteristics Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Units Input Capacitance CIN(1) VIN = 0V(2) 6 pF Output Capacitance COUT(1) VOUT = 0V(2) 8 pF Input Leakage ILI ±2 µA I/O Leakage ILO ±2 µA Standby Current ICC1 CS = VCC VIN = GND or VCC 10 50 µA Power Down Current ICC2 CS = VCC VIN = GND or VCC 2 µA Current Read Data/ Dual/Quad 1MHz(2) ICC3 C=0.1 VCC / 0.9VCC 7 mA |
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |