Semiconductor Corporation
Fo r tun e
富晶半 導體股 份有限 公司
富晶半导体股份有限公司
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FS9721_LP3
4,000 格 数字多用电表专用集成电路
R17
99
R16
0.99
R28
0.01
¦ÌA/mA
0.5A/250V
10A
10A/250V
J7
J1
COM
TSTB
SA
SGND
FS9721_LP3
R31
1k
_
+
R9
90k
R7
10k
OP1O
OP1N
图 30
电流测量（B）
13.14
电阻测量
电阻测量见图 31。
电阻的测量是以标准电阻作参考，将待测电阻
与标准电阻进行比较测量求得待测电阻值的。40M
Ω档的标准电阻为 10MΩ（R26）
，其它各档的标准
电阻是 R26 分别与 R25，R24，R23，R22 并联的到
的 1MΩ，100kΩ，10kΩ，1kΩ电阻的(4kΩ和 400
Ω档的标准电阻都是 1kΩ)。电阻测量时，IC 内部
产生 0.4V(相对于 AGND)的电压，此电压分别由电
阻 R26 与 R25，R24，R23，R22 输出到待测电阻上，
进行比较测量。
R20 接 RL，
是标准电阻取得参电压的负输入端。
J3，J5 为档位开关,电阻测量时 J3，J5 合上。
C13 为电阻测量待测点的滤波电容。
R26
10M
R25 1.111M
R24
101.01k
R23
10k
R22
1k
R20
100k
R19
900k
R31
1k
Rx
J5
J3
C13
27nF
TENM
ONEM
HUNK
TENK
ONEK
RL
CRES1
SGND
FS9721_LP3
SMV
COM
Ohm
PTC
1k
图 31
电阻测量
13.15 二极管测试
二极管测量见 32。
二极管测量由 IC 内部产生 1.5V(相对于 AGND)
电压，由 R22 输出，经 PTC1 加到二极管正端。二
极管产生的正向压降 VD 约 0.5V-0.7V，VD 经 R20
和 R19 分压得 VD 的 1/10，送入 ADC,显示 VD 读数。
J3 和 J5 是拨盘档位开关。二极管测量时 J3，J5 合
上。
TENM
ONEK
SGND
PTC
1k
FS9721_LP3
J3
J5
SMV
DT
VD
R26
10M
R22
1k
R19
900k
R18
100k
R31
1k
Diode
COM
图 32
二极管测量
13.16
通断检测
通断检测见图 33。
通断检测时, IC 内部产生 0.4V 电压（相对于
AGND）由 R22 输出，经 PTC1 加到通断待检测点。
J3 和 J5 是拨盘档位开关，通断检测时合上，Rx 取
得电压 VRx，经 R19 输入 IC。由图可知，
Rx=（R22+PTC1）/50。
因此，PTC 的阻值会影响到通断检测的电阻的
上限值。当不接 PTC1 时，若 R22 为 1kΩ,则蜂鸣器
发声的电阻小于 30Ω。
ONEK
AGND
PTC
1k
FS9721_LP3
J3
J5
SMV
_
+
0.4V
VREF
_
+
Rx
R22
1k
RA
50k
RB
1k
R19
900k
V/Ohm
COM
图 33
通断检测
13.17 电容测量
电容测量见图 34
电容测量是通过 R21 对待测电容充放电形成振
荡，计算振荡周期求电容值。可以通过调整 R21 来
校准电容测量读数。J3 和 J5 为拨盘档位开关，电
容测量时，J3 和 J5 合上。
（在实际应用的中，若发现 5.120nF 量程在测
量时线性较差，设计时可考虑在电容测量输入端并
接一个 1000pF 左右的电容，测量时按 REL 键使读
数为零再测量，这样小量程电容档位的线性较好。
）
RCAP
SMV
SGND
PTC
1k
FS9721_LP3
R21
57.4k
R19
900k
R31
1k
COM
Cap
3/4VDD
1/4VDD
VDD
AGND
J5
J3
CMP
DO+
DO+
DO+
DO-
DO-
DO-
+
-
CX
图 34
电容测量
输入端的典型波形见图 35。
3/4VDD
1/4VDD
VDD
Tdo
图 35
电容测量输入端典型波形
13.18
频率测量
频率测量见图 36 。
ADP
SGND
PTC
1k
FS9721_LP3
R29
1M
R27
100k
R31
1k
COM
Hz
J6
J8
C15
10¦ÌF
图 36
频率测量
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