Semiconductor Corporation
Fo r tun e
富晶半 導體股 份有限 公司
富晶半导体股份有限公司
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FS9721_LP3
4,000 格 数字多用电表专用集成电路
13.11
电压测量
电压测量见图 26。
电压测量时，被测电压由电阻 R26 输入，DCmV
不分压，直接进入 IC；4V、40V、400V、1000V 档
电压由 R25、R24、R23、R22 与 R26 分压取得输入
电压的 1/10、1/100、1/1000、1/10000，再送入
IC。调整 VR1 的阻值可以对测量进行校准。
ACmV 电压是由 R26 进入通过 R25、R26 的分压
得到其电压的 1/10 再经内部放大 10 倍而完成测
量，所以 R9、R7 的精度也决定 ACmV 电压的测量精
度。
REFI
REFO
TENM
ONEM
HUNK
TENK
ONEK
SGND
PTC
1k
V
FS9721_LP3
R8
40k
R26
10M
R25
1.111M
R24
101.01k
R23
10k
R22
1k
R31
1k
R6
20k
VR1
10k
COM
V
J4
图 26
电压测量
分压公式为：Vout=Vin ×[Rs/（R26+Rs）]
Rs 为 R25、R24、R23 或 R22，因此，R22、R23、
R24、R25、R26 的精度决定各量程的测量精度。
电压测量分压示意如图 27。
Vout=0.1V
Vout=0.1V
Vout=0.1V
Vout=0.1V
Vin=1V
Vin=10V
Vin=100V
Vin=1000V
R26
10M
R26
10M
R26
10M
R26
10M
R25
1.111M
R24
101.01k
R23
10k
R22
1k
图 27
分压电路示意图
13.12
交/直流 mV 电压测量
交/直流 mV 电压测量见图 28。
交/直流 mV 电压由 ADP 输入线性较好,但要注
意过压保护,以免造成损坏。
REFI
REFO
SGND
PTC
1k
V
COM
mV
J9
FS9711_LP3
ADP
Q1
Q2
R6
20k
R27
100k
R8 40k
R31
1k
VR1
10k
图 28
交/直流 mV 电压测量
13.13 电流测量
电流测量有 A、B 两种模式，区别如下：
A
B
TSTB 开路
TSTB 接 VSS
模式
档位
量
程
取样
电阻
量
程
取样
电阻
A
10A
0.01
Ω
10A
4A
0.01
Ω
mA
400mA
40mA
10Ω
400mA
40mA
1Ω
μA
4000μA
400μA
1kΩ
4000μA
400μA
100
Ω
最大
压降
4V
0.4V
在 TSTB 脚悬空模式中，电流信号由 R19 进入
IC。
μA 档的取样电阻是 R16+R17+R29，mA 档的取
样电阻是 R16+R29，10A 档的取样电阻是 R29。通过
切换拨盘档位开关分别测量，当测μA 时，J10 断
开，J11、J3 合上；当测 mA 时，J11 断开，J10、
J3 合上；当用 10A 档测大电流时，J10、J11 断开，
J3 合上。
μA，mA 和 10A 三档产生的电压降最大为 4V。
这些电压送入电压比较器进行比较，若小于 400mV，
该电压信号直接进入 A/D 变换器；若大于 400mV 则
产生自动跳档信号，内部电子开关 K 合上，使 SMV
和 DT（SA）接通，由 R18 和 R19 分压，取其电压信
号的 1/10 送入 A/D 变换器。
电阻 R16，R17，R29 及 R18， R19 的精度影响
电流测量的精度。
R19
900k
R31
1k
R17
990
R16
9.99
R28
0.01
R18
100k
¦ÌA/mA
0.5A/250V
10A
10A/250V
J7
J1
COM
SMV
DT
SA
SGND FS9721_LP3
J2
K
图 29
电流测量（A）
在 TSTB 接 VSS 模式中，
电流信号由 SA 进入 IC。
电流测 量时 ，μA 档的 取样电 阻是
R16+R17+R28,mA 档的取样电阻是 R16+R28，10A 档
的取样电阻是 R28。通过切换拨盘档位开关分别测
量。当测μA 时，J1 断开，J7 合上；当测 mA 时，
J7 断开，J1 合上；大电流则由 10A 端口进入。
μA，
mA 和 10A 三档产生的电压降最大为 0.4V。
这些电压送入电压比较器进行比较，若小于 40mV，
则送入 10 倍放大器放大后再送入 A/D 变换器；若
大于 40mV 则作自动跳档信号，在微处理器控制下
往上跳一档并将该电流信号直接送入 A/D 变换器。
电阻 R16，R17，R28 及 R7，R9 的精度影响电
流测量的精度。
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