| поискавой системы для электроныых деталей |
|
PJM123NSA датащи(PDF) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM123NSA датащи(HTML) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
3 / 6 page ![]() PJM123NSA N- Enhancement Mode Field Effect Transistor 3 / 6 Ratings And Characteristic Curves 0.0 0.2 1.0 1.2 1.4 10 100 400 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 50 100 150 200 250 300 350 2 3 4 5 6 01 78 9 10 0 5 10 15 20 25 30 0.0 0.5 3.5 4.0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 25 125 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 Pulsed Pulsed T a=100 ℃ V SD I S —— T a=25 ℃ 0.4 0.6 0.8 SOURCE TO DRAIN VOLTAGE VOLTA SD (V) V GS=3V V GS=2.5V V GS=2V V GS=4V,5V,6V Output Characteristics DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V DS (V) T a=25 ℃ Pulsed V GS=10V V GS=4.5V T a=25 ℃ Pulsed DRAIN CURRENT DRAIN D (mA) —— I D R DS(ON) T a=100 ℃ T a=25 ℃ —— 23 456 GATE TO SOURCE VOLTAGE GATE GS (V) V GS R DS(ON) I D=0.17A V DS=3V Pulsed 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 GATE TO SOURCE VOLTAGE V GS (V) Transfer Characteristics T a=100 ℃ T a=25 ℃ I D=250uA Threshold Voltage 50 75 100 JUNCTION TEMPERATURE T j (℃) www.pingjingsemi.com Revision:1. 1 Jan-2019 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |