| поискавой системы для электроныых деталей |
|
HM3N30PR датащи(PDF) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HM3N30PR датащи(HTML) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
|
3 / 10 page ![]() Source-Drain Diode Characteristics Rating Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Units IS Continuous Source Current (Body Diode) -- -- 3 A ISM Maximum Pulsed Current (Body Diode) -- -- 12 A VSD Diode Forward Voltage IS=3A,VGS=0V -- -- 1.5 V trr Reverse Recovery Time -- 60 -- ns Qrr Reverse Recovery Charge IS=3A,Tj = 25°C dIF/dt=100A/us, VGS=0V -- 139 -- nC Pulse width tp≤380µs,δ≤2% Symbol Parameter Typ. Units RθJC Junction-to-Case 50 ℃ /W RθJA Junction-to-Ambient 62.5 ℃ /W a1:Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature a2:L=10.0mH, ID=3.2A, Start TJ=25℃ a3:ISD =3A,di/dt ≤100A/us,VDD≤BVDS, Start TJ=25℃ Silicon N-Channel Power MOSFET HM3N30PR Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd http://www.hmsemi.com |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |