2015/10/19 

p.3 

EMB32N03JS

V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )

0

0

8

DS

1

2

6V

16

24

7V

5V

3

45

4.5V

On‐Region Characteristics

4

12

20

V  = 10V

GS

On‐Resistance Variation with Temperature

T   ‐ Junction Temperature (°C)

0.4

‐50

0.7

1.0

0

J

‐25

25

D

I   = 5A

V   = 10V

1.3

1.6

1.9

GS

125

50

75

100

150

T   = ‐55°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

1

1

0

2

2.0

1.5

GS

V   = 10V

4

3

5

6

DS

A

3.0

2.5

3.5

25°C

125°C

Transfer Characteristics

Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

25°C

T   = 125°C

V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.001

0

0.01

0.1

0.4

SD

0.2

0.6

V    = 0V

1

10

100

A

GS

1.0

0.8

1.2

‐55°C

1.4

I   ‐ Drain Current( A )

1.6

0.8

0

1.2

1.0

1.4

5

D

10

GS

V    = 4.5 V

2.2

1.8

2.0

2.4

15

20

7.0 V

6.0 V

5.0 V

10 V

25

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

T   = 125°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

0.01

2

0.02

0.04

0.03

GS

4

6

T   = 25°C

A

A

0.08

0.06

0.05

0.07

0.09

810

I   = 2.5 A

D

 

TYPICAL CHARACTERISTICS