PTF180101S pdf, PTF180101S подробное описание детали, PTF180101S датащи, PTF180101S view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	PTF180101S

подробное описание детали	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz

объем файла	209.3 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9 Next

производитель	INFINEON [Infineon Technologies AG]

домашняя страница	http://www.infineon.com

Logo

Аналогичный номер детали - PTF180101S

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Infineon Technologies A...	PTF180101S	310Kb / 10P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz 2004-02-03

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Infineon Technologies A...	PTF180101	310Kb / 10P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz 2004-02-03
	PTF180601	233Kb / 11P	LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 2004-05-03
	PTF181301	66Kb / 4P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz 2004-04-28
	PTF191601	61Kb / 4P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz 2004-03-17
	PTF210301	337Kb / 8P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz 2003-12-22
	PTF210451	406Kb / 8P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz 2003-12-22
	PTF210901	266Kb / 8P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz 2004-01-16
	PTF211301	449Kb / 9P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz 2004-01-02
	PTF211802	169Kb / 8P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz 2004-02-13
	PTF210101M	276Kb / 8P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 02.1, 2009-02-18