поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

PTF211301 датащи (PDF) - Infineon Technologies AG

PTF211301 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
номер детали PTF211301
скачать  PTF211301 скачать
объем файла   449.03 Kbytes
Page   9 Pages
производитель  INFINEON [Infineon Technologies AG]
домашняя страница  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
подробное описание детали LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz

PTF211301 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
PTF211301 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

номер детали PTF211301
скачать  PTF211301 Click to download

объем файла   449.03 Kbytes
Page   9 Pages
производитель  INFINEON [Infineon Technologies AG]
домашняя страница  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
подробное описание детали LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz

PTF211301 датащи (HTML) - Infineon Technologies AG


PTF211301 Информация о продукте

Description
The PTF211301 is a 130–W, internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications. It is characaterized for single– and two–carrier WCDMA operation from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features
• Broadband internal matching
• Typical two–carrier WCDMA performance at
   2140 MHz
   - Average output power = 28 W
   - Linear Gain = 13.5 dB
   - Efficiency = 25%
   - Intermodulation distortion = –37 dBc
   - Adjacent channel power = –42 dBc
• Typical CW performance, 2170 MHz, 28 V
   - Output power at P–1dB = 148 W
   - Efficiency = 50%
• Integrated ESD protection: Human Body
   Model, Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability, low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,
   130 W (CW) output power




Аналогичный номер детали - PTF211301

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Infineon Technologies A...
PTF211802 INFINEON-PTF211802 Datasheet
169Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
2004-02-13
PTF211802A INFINEON-PTF211802A Datasheet
169Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
2004-02-13
PTF211802E INFINEON-PTF211802E Datasheet
169Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
2004-02-13
More results


Аналогичное описание - PTF211301

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Infineon Technologies A...
PTF210301 INFINEON-PTF210301 Datasheet
337Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
PTF210451 INFINEON-PTF210451 Datasheet
406Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
PTF210901 INFINEON-PTF210901 Datasheet
266Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
2004-01-16
PTF211802 INFINEON-PTF211802 Datasheet
169Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
2004-02-13
logo
Tyco Electronics
MAPLST2122-030CF MACOM-MAPLST2122-030CF Datasheet
162Kb / 5P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 - 2170 MHz, 30W, 28V
MAPLST2122-060CF MACOM-MAPLST2122-060CF Datasheet
172Kb / 5P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 - 2170 MHz, 60W, 28V
logo
Infineon Technologies A...
PTF210101M INFINEON-PTF210101M Datasheet
276Kb / 8P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
PTFB213004F INFINEON-PTFB213004F Datasheet
674Kb / 16P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110-2170 MHz
Rev. 05.2, 2010-12-09
PTFB213004F INFINEON-PTFB213004F_16 Datasheet
740Kb / 16P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 05.3, 2016-06-15
logo
Cree, Inc
PTFB213004F CREE-PTFB213004F Datasheet
528Kb / 16P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz
More results




О Infineon Technologies AG


Infineon Technologies является ведущим глобальным производителем полупроводников, который специализируется на предоставлении решений управления энергетикой, безопасности и контроля для различных отраслей, таких как автомобильные, промышленные и коммуникационные системы.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Нойбиберге, Германия.
Infineon предлагает широкий спектр продуктов, включая микроконтроллеры, полупроводники Power, датчики и другие интегрированные схемы.
Компания имеет сильное присутствие на мировом рынке, с операциями и объектами в разных странах мира.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com