поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

PTFB213004F датащи (PDF) - Infineon Technologies AG

PTFB213004F Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
номер детали PTFB213004F
скачать  PTFB213004F скачать
объем файла   674.06 Kbytes
Page   16 Pages
производитель  INFINEON [Infineon Technologies AG]
домашняя страница  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
подробное описание детали High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110-2170 MHz

PTFB213004F Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
PTFB213004F Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

номер детали PTFB213004F
скачать  PTFB213004F Click to download

объем файла   674.06 Kbytes
Page   16 Pages
производитель  INFINEON [Infineon Technologies AG]
домашняя страница  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
подробное описание детали High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110-2170 MHz

PTFB213004F датащи (HTML) - Infineon Technologies AG


PTFB213004F Информация о продукте

Description
The PTFB213004F is a 300-watt LDMOS FET designed for class AB operation in cellular amplifiers covering the 2110 to 2170 MHz frequency band. Features include high peak power, input and output match, and a thermally-enhanced, open-cavity earless ceramic package.

Features
• Broadband internal matching
• Enhanced for use in DPD error correction systems
• Wide video bandwidth
• Typical single-carrier WCDMA performance at
   2170 MHz, 30 V
   - POUT = 49.5 dBm Avg
   - Gain = 17.5 dB
   - Efficiency = 30%
• Increased negative gate-source voltage range for
   improved performance in Doherty amplifiers
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 30 V, 300 W
   (CW) output power
• Excellent thermal stability
• Integrated ESD protection
• Pb-free and RoHS-compliant




Аналогичный номер детали - PTFB213004F

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Infineon Technologies A...
PTFB213004F INFINEON-PTFB213004F Datasheet
740Kb / 16P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 05.3, 2016-06-15
logo
Cree, Inc
PTFB213004F CREE-PTFB213004F Datasheet
528Kb / 16P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz
logo
Infineon Technologies A...
PTFB213004FV2R0 INFINEON-PTFB213004FV2R0 Datasheet
740Kb / 16P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 05.3, 2016-06-15
PTFB213004FV2R0XTMA1 INFINEON-PTFB213004FV2R0XTMA1 Datasheet
740Kb / 16P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 05.3, 2016-06-15
PTFB213004FV2R250 INFINEON-PTFB213004FV2R250 Datasheet
740Kb / 16P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 05.3, 2016-06-15
More results


Аналогичное описание - PTFB213004F

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Infineon Technologies A...
PTF210301 INFINEON-PTF210301 Datasheet
337Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
PTF210451 INFINEON-PTF210451 Datasheet
406Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
PTF210901 INFINEON-PTF210901 Datasheet
266Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
2004-01-16
PTF211301 INFINEON-PTF211301 Datasheet
449Kb / 9P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz
2004-01-02
PTF211802 INFINEON-PTF211802 Datasheet
169Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
2004-02-13
logo
Tyco Electronics
MAPLST2122-030CF MACOM-MAPLST2122-030CF Datasheet
162Kb / 5P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 - 2170 MHz, 30W, 28V
MAPLST2122-060CF MACOM-MAPLST2122-060CF Datasheet
172Kb / 5P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 - 2170 MHz, 60W, 28V
logo
Infineon Technologies A...
PTF210101M INFINEON-PTF210101M Datasheet
276Kb / 8P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
PTFB213004F INFINEON-PTFB213004F_16 Datasheet
740Kb / 16P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 05.3, 2016-06-15
logo
Cree, Inc
PTFB213004F CREE-PTFB213004F Datasheet
528Kb / 16P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz
More results




О Infineon Technologies AG


Infineon Technologies является ведущим глобальным производителем полупроводников, который специализируется на предоставлении решений управления энергетикой, безопасности и контроля для различных отраслей, таких как автомобильные, промышленные и коммуникационные системы.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Нойбиберге, Германия.
Infineon предлагает широкий спектр продуктов, включая микроконтроллеры, полупроводники Power, датчики и другие интегрированные схемы.
Компания имеет сильное присутствие на мировом рынке, с операциями и объектами в разных странах мира.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com