поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

PTFA220121M датащи (PDF) - Infineon Technologies AG

PTFA220121M Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
номер детали PTFA220121M
скачать  PTFA220121M скачать
объем файла   245.64 Kbytes
Page   19 Pages
производитель  INFINEON [Infineon Technologies AG]
домашняя страница  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
подробное описание детали High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 700-2200 MHz

PTFA220121M Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
PTFA220121M Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

номер детали PTFA220121M
скачать  PTFA220121M Click to download

объем файла   245.64 Kbytes
Page   19 Pages
производитель  INFINEON [Infineon Technologies AG]
домашняя страница  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
подробное описание детали High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 700-2200 MHz

PTFA220121M датащи (HTML) - Infineon Technologies AG


PTFA220121M Информация о продукте

Description
The PTFA220121M is an unmatched 12-watt LDMOS FET intended for power amplifi er applications in the 700 to 2200 MHz. This LDMOS device offers excellent gain, effi ciency and linearity performance in a small overmolded plastic package.

Features
• Typical two-carrier WCDMA performance at
   2140 MHz, 8 dB PAR
   - POUT = 33 dBm Avg
   - ACPR = –45.5 dBc
• Typical two-carrier WCDMA performance at
   877 MHz, 8 dB PAR
   - POUT = 33 dBm Avg
   - ACPR = –44.5 dBc
• Typical CW performance, 2140 MHz, 28 V
   - POUT = 41.6 dBm
   - Effi ciency = 53.5%
   - Gain = 15.5 dB
• Typical CW performance, 877 MHz, 28 V
   - POUT = 41.8 dBm
   - Effi ciency = 60%
   - Gain = 19.9 dB
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 12 W
   (CW) output power
• Integrated ESD protection
• Excellent thermal stability
• Pb-free and RoHS compliant




Аналогичный номер детали - PTFA220121M

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Infineon Technologies A...
PTFA220121M INFINEON-PTFA220121M Datasheet
381Kb / 21P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 28 V, 700 ??2200 MHz
Rev. 10, 2015-10-23
logo
Cree, Inc
PTFA220121M CREE-PTFA220121M Datasheet
955Kb / 21P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 28 V, 700 ??2200 MHz
logo
Infineon Technologies A...
PTFA220121MV4R1K INFINEON-PTFA220121MV4R1K Datasheet
381Kb / 21P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 28 V, 700 ??2200 MHz
Rev. 10, 2015-10-23
PTFA220121MV4R1KV4XUMA1 INFINEON-PTFA220121MV4R1KV4XUMA1 Datasheet
381Kb / 21P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 28 V, 700 ??2200 MHz
Rev. 10, 2015-10-23
PTFA220121M INFINEON-PTFA220121M_15 Datasheet
381Kb / 21P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 28 V, 700 ??2200 MHz
Rev. 10, 2015-10-23
More results


Аналогичное описание - PTFA220121M

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Tyco Electronics
MAPLST0822-002PP MACOM-MAPLST0822-002PP Datasheet
259Kb / 10P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 800-2200 MHz, 2W, 28V
logo
Infineon Technologies A...
PTF210101M INFINEON-PTF210101M Datasheet
276Kb / 8P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
PTFA220041M INFINEON-PTFA220041M Datasheet
1Mb / 18P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 4 W, 700 - 2200 MHz
Rev. 08, 2010-06-07
PTFA220081M INFINEON-PTFA220081M Datasheet
1Mb / 17P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 8 W, 700-2200 MHz
Rev. 04, 2010-06-09
PTFB213004F INFINEON-PTFB213004F Datasheet
674Kb / 16P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110-2170 MHz
Rev. 05.2, 2010-12-09
PTFB241402F INFINEON-PTFB241402F Datasheet
556Kb / 13P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz
Rev. 03, 2010-04-19
PTFB241402F INFINEON-PTFB241402F_16 Datasheet
810Kb / 13P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz
Rev. 04.1, 2016-06-15
PTFA220121M INFINEON-PTFA220121M_15 Datasheet
381Kb / 21P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 28 V, 700 ??2200 MHz
Rev. 10, 2015-10-23
PTFA220041M INFINEON-PTFA220041M_16 Datasheet
331Kb / 18P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 4 W, 28 V, 700 ??2200 MHz
Rev. 10.1, 2016-06-01
logo
Cree, Inc
PTFA220121M CREE-PTFA220121M Datasheet
955Kb / 21P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 28 V, 700 ??2200 MHz
More results




О Infineon Technologies AG


Infineon Technologies является ведущим глобальным производителем полупроводников, который специализируется на предоставлении решений управления энергетикой, безопасности и контроля для различных отраслей, таких как автомобильные, промышленные и коммуникационные системы.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Нойбиберге, Германия.
Infineon предлагает широкий спектр продуктов, включая микроконтроллеры, полупроводники Power, датчики и другие интегрированные схемы.
Компания имеет сильное присутствие на мировом рынке, с операциями и объектами в разных странах мира.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com