PTFB241402F датащи(PDF) - Infineon Technologies AG

поискавой системы для электроныых деталей

ALLDATASHEETRU.COM

X

PTFB241402F датащи (PDF) - Infineon Technologies AG

PTFB241402F Datasheet PDF - Infineon Technologies AG


номер детали	PTFB241402F

скачать	PTFB241402F скачать

объем файла	556.83 Kbytes

Page	13 Pages

производитель	INFINEON [Infineon Technologies AG]

домашняя страница	http://www.infineon.com

Logo

подробное описание детали

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz

PTFB241402F Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

скачать датащи

PTFB241402F Datasheet PDF - Infineon Technologies AG


номер детали	PTFB241402F

скачать	PTFB241402F Click to download

объем файла	556.83 Kbytes

Page	13 Pages

производитель	INFINEON [Infineon Technologies AG]

домашняя страница	http://www.infineon.com

Logo

подробное описание детали	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz

PTFB241402F датащи (HTML) - Infineon Technologies AG

PTFB241402F Datasheet HTML 1Page - Infineon Technologies AG

PTFB241402F Datasheet HTML 2Page - Infineon Technologies AG

PTFB241402F Datasheet HTML 3Page - Infineon Technologies AG

PTFB241402F Datasheet HTML 4Page - Infineon Technologies AG

PTFB241402F Datasheet HTML 5Page - Infineon Technologies AG

PTFB241402F Datasheet HTML 6Page - Infineon Technologies AG

PTFB241402F Datasheet HTML 7Page - Infineon Technologies AG

PTFB241402F Datasheet HTML 8Page - Infineon Technologies AG

PTFB241402F Datasheet HTML 9Page - Infineon Technologies AG

PTFB241402F Datasheet HTML 10Page - Infineon Technologies AG

PTFB241402F Информация о продукте

Description
The PTFB241402F integrates two LDMOS FETs into one open-cavity ceramic package. It is designed for cellular amplifier applications in the 2300 to 2400 MHz frequency band. Manufactured with Infineon’s advanced LDMOS process, this device offers excellent thermal performance and superior reliability.

Features
• Broadband internal matching
• Typical CW performance, single side
- Output power (1dB compression) = 70 W
- Efficiency = 55%
• Increased negative gate-source voltage range for
improved performance in Doherty amplifiers
• Integrated ESD protection
• Excellent thermal stability
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 30 V, 70 W
(CW) output power
• Pb-free and RoHS compliant

Аналогичный номер детали - PTFB241402F

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Infineon Technologies A...	PTFB241402FV1R0	810Kb / 13P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz Rev. 04.1, 2016-06-15
	PTFB241402FV1R0XTMA1	810Kb / 13P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz Rev. 04.1, 2016-06-15
	PTFB241402FV1R250	810Kb / 13P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz Rev. 04.1, 2016-06-15
	PTFB241402FV1R250XTMA1	810Kb / 13P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz Rev. 04.1, 2016-06-15
	PTFB241402F	810Kb / 13P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz Rev. 04.1, 2016-06-15

Аналогичное описание - PTFB241402F

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Infineon Technologies A...	PXAC243502FV	1Mb / 10P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz Rev. 03.2, 2016-06-22
	PXAC241702FC	1Mb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz Rev. 02.1, 2016-06-22
	PTFB241402F	810Kb / 13P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz Rev. 04.1, 2016-06-15
	PTAC240502FC	1Mb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 50 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz Rev. 02.3, 2016-06-21
Cree, Inc	PXAC241702FC	577Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz
	PXAC243502FV	543Kb / 10P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz
	PTAC240502FC	606Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 50 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz
	PXAC241002FC	279Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz
	PTFB201402FC	595Kb / 14P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 28 V, 2010 - 2025 MHz
WOLFSPEED, INC.	PTAC240502FC_V1	1Mb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 50 W, 28 V, 2300 – 2400 MHz Rev. 05, 2023-06-28

О Infineon Technologies AG

Infineon Technologies является ведущим глобальным производителем полупроводников, который специализируется на предоставлении решений управления энергетикой, безопасности и контроля для различных отраслей, таких как автомобильные, промышленные и коммуникационные системы.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Нойбиберге, Германия.
Infineon предлагает широкий спектр продуктов, включая микроконтроллеры, полупроводники Power, датчики и другие интегрированные схемы.
Компания имеет сильное присутствие на мировом рынке, с операциями и объектами в разных странах мира.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.

ссылки URL

Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ]

Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com