поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

SCT027W65G3-4AG датащи (PDF) - STMicroelectronics
SCT027W65G3-4AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
номер детали SCT027W65G3-4AG
скачать  SCT027W65G3-4AG скачать
объем файла   197.44 Kbytes
Page   12 Pages
производитель  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
домашняя страница  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
подробное описание детали Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in an HiP247-4 package

SCT027W65G3-4AG Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
SCT027W65G3-4AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

номер детали SCT027W65G3-4AG
скачать  SCT027W65G3-4AG Click to download

объем файла   197.44 Kbytes
Page   12 Pages
производитель  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
домашняя страница  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
подробное описание детали Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in an HiP247-4 package

SCT027W65G3-4AG датащи (HTML) - STMicroelectronics


SCT027W65G3-4AG Информация о продукте

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
• Source sensing pin for increased efficiency

Applications
• Main inverter (electric traction)
• DC/DC converter for EV/HEV
• On board charger (OBC)

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device
features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low
capacitances and very high switching operations, which improve application
performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.




Аналогичный номер детали - SCT027W65G3-4AG

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Beijing Yaohuadechang E...		 SCT027H YHDC-SCT027H Datasheet
5Mb / 1P		 0.333V Split core current transformer
logo
STMicroelectronics		 SCT027H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT027H65G3AG Datasheet
374Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in an H²PAK-7 package
11-Nov-2022
SCT027TO65G3 STMICROELECTRONICS-SCT027TO65G3 Datasheet
1Mb / 15P		 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in a TO-LL package
28-Jan-2025
More results


Аналогичное описание - SCT027W65G3-4AG

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
STMicroelectronics		 SCTWA90N65G2V-4 STMICROELECTRONICS-SCTWA90N65G2V-4 Datasheet
239Kb / 13P		 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mΩ typ., 119 A in an HiP247-4 package
25-Nov-2020
SCTW100N65G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N65G2AG Datasheet
423Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package
21-Nov-2018
SCTW100N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N120G2AG Datasheet
217Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package
23-Jul-2020
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
197Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
18-May-2020
SCTWA35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTWA35N65G2VAG Datasheet
243Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package
11-Aug-2020
SCTWA40N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA40N120G2AG Datasheet
257Kb / 12P		 Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package
22-Nov-2021
SCTWA60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA60N120G2AG Datasheet
242Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package
16-Dec-2020
SCT10N120AG STMICROELECTRONICS-SCT10N120AG Datasheet
238Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package
21-Sep-2022
More results




О STMicroelectronics

STMicroElectronics - это многонациональный производитель электроники и полупроводников, базирующийся в Женеве, Швейцария.

Компания предлагает широкий спектр продуктов, включая микроконтроллеры, датчики, усилители мощности и интегрированные схемы для различных применений на автомобильных, промышленных и потребительских рынках.

Основанная в 1987 году, Stmicroelectronics работает в более чем 100 странах и является одной из крупнейших полупроводниковых компаний в мире.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com