поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

SCT10N120AG датащи (PDF) - STMicroelectronics
SCT10N120AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
номер детали SCT10N120AG
скачать  SCT10N120AG скачать
объем файла   238.62 Kbytes
Page   14 Pages
производитель  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
домашняя страница  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
подробное описание детали Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package

SCT10N120AG Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
SCT10N120AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

номер детали SCT10N120AG
скачать  SCT10N120AG Click to download

объем файла   238.62 Kbytes
Page   14 Pages
производитель  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
домашняя страница  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
подробное описание детали Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package

SCT10N120AG датащи (HTML) - STMicroelectronics


SCT10N120AG Информация о продукте

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very tight variation of on-resistance vs. temperature
• Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitance

Applications
• Motor drives
• EV chargers
• High voltage DC-DC converters
• Switch mode power supplies

Description
This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative
properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per
unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s
housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industrystandard
outline with significantly improved thermal capability. These features render
the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.




Аналогичный номер детали - SCT10N120AG

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Inchange Semiconductor ...		 SCT10N120AG ISC-SCT10N120AG Datasheet
411Kb / 2P		 N-Channel SiC MOSFET Transistor
More results


Аналогичное описание - SCT10N120AG

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
STMicroelectronics		 SCT20N120AG STMICROELECTRONICS-SCT20N120AG Datasheet
487Kb / 13P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an HiP247 package
Rev 3 - October 2019
SCTW100N65G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N65G2AG Datasheet
423Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package
21-Nov-2018
SCTW100N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N120G2AG Datasheet
217Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package
23-Jul-2020
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
197Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
18-May-2020
SCTWA35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTWA35N65G2VAG Datasheet
243Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package
11-Aug-2020
SCTWA40N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA40N120G2AG Datasheet
257Kb / 12P		 Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package
22-Nov-2021
SCTWA60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA60N120G2AG Datasheet
242Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package
16-Dec-2020
More results




О STMicroelectronics

STMicroElectronics - это многонациональный производитель электроники и полупроводников, базирующийся в Женеве, Швейцария.

Компания предлагает широкий спектр продуктов, включая микроконтроллеры, датчики, усилители мощности и интегрированные схемы для различных применений на автомобильных, промышленных и потребительских рынках.

Основанная в 1987 году, Stmicroelectronics работает в более чем 100 странах и является одной из крупнейших полупроводниковых компаний в мире.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com