поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

SCTW100N120G2AG датащи (PDF) - STMicroelectronics
SCTW100N120G2AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
номер детали SCTW100N120G2AG
скачать  SCTW100N120G2AG скачать
объем файла   217.31 Kbytes
Page   11 Pages
производитель  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
домашняя страница  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
подробное описание детали Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package

SCTW100N120G2AG Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
SCTW100N120G2AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

номер детали SCTW100N120G2AG
скачать  SCTW100N120G2AG Click to download

объем файла   217.31 Kbytes
Page   11 Pages
производитель  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
домашняя страница  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
подробное описание детали Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package

SCTW100N120G2AG датащи (HTML) - STMicroelectronics


SCTW100N120G2AG Информация о продукте

Features
• AEC-Q101 qualified
• High speed switching performance
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitances
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
Applications
• Traction for inverters
• DC-DC converters
• Solar inverters
• OBC
Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.




Аналогичный номер детали - SCTW100N120G2AG

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Inchange Semiconductor ...		 SCTW100N120G2AG ISC-SCTW100N120G2AG Datasheet
337Kb / 2P		 SiC N-Channel MOSFET Transistor
More results


Аналогичное описание - SCTW100N120G2AG

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
STMicroelectronics		 SCTW40N120G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW40N120G2VAG Datasheet
210Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
12-Nov-2020
SCTW100N65G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N65G2AG Datasheet
423Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package
21-Nov-2018
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
197Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
18-May-2020
SCTWA35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTWA35N65G2VAG Datasheet
243Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package
11-Aug-2020
SCTWA40N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA40N120G2AG Datasheet
257Kb / 12P		 Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package
22-Nov-2021
SCT10N120AG STMICROELECTRONICS-SCT10N120AG Datasheet
238Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package
21-Sep-2022
SCTH100N120G2-AG STMICROELECTRONICS-SCTH100N120G2-AG Datasheet
439Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 1200 V, 75 A, 30 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
23-Jul-2020
More results




О STMicroelectronics

STMicroElectronics - это многонациональный производитель электроники и полупроводников, базирующийся в Женеве, Швейцария.

Компания предлагает широкий спектр продуктов, включая микроконтроллеры, датчики, усилители мощности и интегрированные схемы для различных применений на автомобильных, промышленных и потребительских рынках.

Основанная в 1987 году, Stmicroelectronics работает в более чем 100 странах и является одной из крупнейших полупроводниковых компаний в мире.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com