| поискавой системы для электроныых деталей |
|
PMWD18UN датащи(PDF) 8 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PMWD18UN датащи(HTML) 8 Page - NXP Semiconductors |
|
8 / 12 page ![]() Philips Semiconductors PMWD18UN Dual N-channel µTrenchMOS™ ultra low level FET Product data Rev. 02 — 23 February 2004 8 of 12 9397 750 12706 © Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved. ID = 4 A; VDD =16V Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate charge; typical values. 003aaa265 0 1 2 3 4 5 0 102030 QG (nC) VGS (V) |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |