| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SB1431 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SB1431 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1431 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -3A; IB= -3mA -1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= -3A; IB= -3mA -2.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -100V; IE= 0 -1.0 μ A hFE-1 DC Current Gain IC= -3A; VCE= -2V 2000 6000 15000 hFE-2 DC Current Gain IC= -5A; VCE= -2V 500 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -0.8A; VCE= -5V 80 MHz COB Output Capacitance IE= 0; VCB= -10V; ftest= 1MHz 80 pF Switching Times ton Turn-on Time IC= -3A, IB1= -IB2= -3mA, VCC≈ -50V; RL= 16.7Ω 0.5 μ s tstg Storage Time 1.0 μ s tf Fall Time 1.0 μ s hFE-1 Classifications M L K 2000-5000 3000-7000 5000-15000 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |