| поискавой системы для электроныых деталей |
|
STM32F303VB датащи(PDF) 124 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STM32F303VB датащи(HTML) 124 Page - STMicroelectronics |
|
124 / 148 page ![]() Electrical characteristics STM32F303xB STM32F303xC 124/148 DocID023353 Rev 13 6.3.23 VBAT monitoring characteristics Table 80. VBAT monitoring characteristics Symbol Parameter Min Typ Max Unit R Resistor bridge for VBAT -50 - K Ω Q Ratio on VBAT measurement -2- Er(1) 1. Guaranteed by design. Error on Q -1 - +1 % TS_vbat(1)(2) 2. Shortest sampling time can be determined in the application by multiple iterations. ADC sampling time when reading the VBAT 1mV accuracy 2.2 - - µs |
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |