| поискавой системы для электроныых деталей |
|
PSMN009 датащи(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PSMN009 датащи(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 8 page ![]() Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS ™ transistor PSMN009-100W REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS T j = 25˚C unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT I S Continuous source current - - 100 A (body diode) I SM Pulsed source current (body - - 300 A diode) V SD Diode forward voltage I F = 25 A; VGS = 0 V - 0.82 1.2 V I F = 75 A; VGS = 0 V - 0.95 - V t rr Reverse recovery time I F = 20 A; -dIF/dt = 100 A/µs; - 100 - ns Q rr Reverse recovery charge V GS = 0 V; VR = 30 V - 0.5 - µC October 1999 3 Rev 1.100 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |