 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD1360 датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1360 датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 2 page  INCHANGE Semiconductor isc website：www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1360 DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max) @IC= 4A · High DC Current Gain : hFE= 600(Min) @ IC= 2A, VCE= 2V · Fast Switching Speed · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · High voltage switching applications · Igniter applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 6 A IB Base Current-Continuous 1 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 30 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ |
Аналогичный номер детали - 2SD1360 |
|
Аналогичное описание - 2SD1360 |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
