| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD1360 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1360 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1360 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA ; IB= 0 400 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 0.04A 2.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 0.04A 2.5 V VECF C-E Diode Forward Voltage IF= 4A 3.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 600V; IE= 0 0.5 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 3.0 mA hFE -1 DC Current Gain IC= 2A ; VCE= 2V 600 hFE -2 DC Current Gain IC= 4A ; VCE= 2V 100 COB Output Capacitance IE= 0 ; VCB= 50V,ftest= 1MHz 35 pF Switching times ton Turn-on Time IC= 4A , IB1= IB2=0.04A VCC= 100V PW=20μs; Duty Cycle≤1% 1.0 μ s tstg Storage Time 8.0 μ s tf Fall Time 5.0 μ s |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |