| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IPL60R299CP датащи(PDF) 6 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IPL60R299CP датащи(HTML) 6 Page - Infineon Technologies AG |
|
6 / 13 page ![]() 600V CoolMOS™ CP Power Transistor IPL60R299CP Electrical characteristics Final Data Sheet 6 Rev. 2.1, 2012-01-10 Table 6 Gate charge characteristics Parameter Symbol Values Unit Note / Test Condition Min. Typ. Max. Gate to source charge Q gs -5 - nC V DD=480 V, ID=6.6 A, V GS=0 to 10 V Gate to drain charge Q gd -8 - Gate charge total Q g -22 - Gate plateau voltage V plateau -5 - V Table 7 Reverse diode characteristics Parameter Symbol Values Unit Note / Test Condition Min. Typ. Max. Diode forward voltage V SD -0.9 - V V GS=0 V, IF=6.6 A, T j=25 °C Reverse recovery time t rr -300 - ns V R=400 V, IF=6.6 A, d i F/dt=100 A/µs (see table 18) Reverse recovery charge Q rr -3.9 - µC Peak reverse recovery current I rrm -26 - A |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |