| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SAR573D датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SAR573D датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon PNP Power Transistor 2SAR573D ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT BVCBO Collector-Base breakdown voltage IC=-100uA -50 V BVCEO Collector-Emitter breakdown voltage IC=-1mA -50 V BVEBO Emitter-Base breakdown voltage IE=-100uA -6 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -1A; IB= -50mA -0.4 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -50V; IE= 0 -1.0 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -4V; IC= 0 -1.0 μ A hFE DC Current Gain IC= -0.1A; VCE= -3V 180 450 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= -10V; f= 1.0MHz 35 pF fTNOTE Current-Gain—Bandwidth Product IC= -0.2A; VCE= -10V,f= 100MHz 300 MHz NOTE:Pulsed |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |