| поискавой системы для электроныых деталей |
|
NVJS4151P датащи(PDF) 4 Page - ON Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
NVJS4151P датащи(HTML) 4 Page - ON Semiconductor |
|
4 / 5 page ![]() NVJS4151P http://onsemi.com 4 TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS 0 250 500 750 1000 1250 04 8 12 16 20 Figure 7. Capacitance Variation VGS = 0 V TJ = 25°C CISS QT VGS VDS Figure 8. Gate−to−Source and Drain−to−Source Voltage versus Total Charge QG, TOTAL GATE CHARGE (nC) ID = −3.3 A TJ = 25°C 100 1000 10000 1 10 100 tf td(off) tr td(on) RG, GATE RESISTANCE (W) Figure 9. Resistive Switching Time Variation Gate Resistance 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current −VSD, SOURCE−TO−DRAIN VOLTAGE (V) VGS = 0 V TJ = 25°C 0 1 2 3 4 5 02 4 6 8 10 12 0 3 6 9 12 15 Qgd Qgs |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |