| поискавой системы для электроныых деталей |
|
SDF02N65 датащи(PDF) 4 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SDF02N65 датащи(HTML) 4 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
4 / 11 page ![]() V DS , Drain-S ource V oltage (V ) Ver 2.1 www.samhop.com.tw Dec,24,2013 4 V DS , Drain-S ource V oltage (V ) Figure 11a. Maximum Safe Operating Area for SDP02N65 Figure 11b. Maximum Safe Operating Area for SDF02N65 VGS, Gate-to-Source Voltage(V) Figure 7. On-Resistance vs. Gate-Source Voltage VSD, Body Diode Forward Voltage(V) Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current VDS, Drain-to-Source Voltage(V) Figure 9. Capacitance Qg, Total Gate Charge(nC) Figure 10. Gate Charge 18 15 12 9 6 3 0 10 0 ID= 1A 25 C 75 C 125 C 20.0 10.0 1.0 0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 5.0 25 C 75 C 600 500 400 300 200 100 0 0 10 20 30 40 50 Cis s Cos s Crs s 10 8 6 4 2 0 V DS =325V ID= 1A 1 0.1 0.01 0.003 10 VGS=10V Single Pulse TC=25 C 0.1 1 10 100 1000 R DS (O N) L im it 10 ms 1m s 100u s DC 0 1 23 4 5 6 SDP02N65 SDF02N65 24 6 8 125 C 1 0.1 0.01 0.003 10 VGS=10V Single Pulse TC=25 C 0.1 1 10 100 1000 R DS (O N) Li m it 10 ms 1m s 10 0u s DC 10u s |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |