| поискавой системы для электроныых деталей |
|
STS12N3LLH5 датащи(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STS12N3LLH5 датащи(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 13 page ![]() STS12N3LLH5 Electrical characteristics Doc ID 17152 Rev 3 5/13 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD Source-drain current - 12 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) - 48 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 12 A, VGS=0 - 1.1 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 12 A, di/dt = 100 A/µs, VDD= 25 V, Tj=150 °C - 22 15 1.4 ns nC A |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |