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P9B40HP2 датащи(PDF) 1 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd |
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1 / 4 page  外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mensi ons,r ef ert oourweb si t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hespeci f i cat i on"Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on". 単位 Uni t 規格値 Rat i ngs 条 件 Condi t i ons 記号 Symbol 項 目 I t em ℃ －55～150 Tstg 保存温度 St or ageT emper at ur e 150 Tch チャネル温度 Channel T emper at ur e V 400 VDSS ドレイン・ソース間電圧 Dr ai n- Sour ceVol t age ±30 VGSS ゲート・ソース間電圧 Dr ai n- Sour ceVol t age A 9 ID ドレイン電流（直流） Cont i nuousDr ai nCur r ent( DC) 36 パルス幅10 μs,dut y=1/100 Pul s ewi dt h10µs ,dut y=1/ 100 IDP ドレイン電流（ピーク） Cont i nuousDr ai nCur r ent( Peak ) 9 IS ソース電流（直流） Cont i nuousSour ceCur r ent( DC) W 40 PT 全損失 T ot al PowerDi s s i pat i on A 9 Tch＝150℃ IAR 繰り返しアバランシェ電流 Repet i t i v eAv al ancheCur r ent mJ 37 Tc＝Tchからのスターティング温度 Tch＝25℃ St ar t i ngt emper at ur eT ch=T c,T ch=25˚ C EAS 単発アバランシェエネルギー Si ngl eAv al ancheEner gy 3. 7 Tc＝Tchからのスターティング温度 Tch＝25℃ St ar t i ngt emper at ur eT ch=T c,T ch=25˚ C EAR 繰り返しアバランシェエネルギー Repet i t i v eAv al ancheEner gy A/μs 350 Is＝9A,Tc＝25℃ di /dt ドレインソース間ダイオード Dr ai n- Sour ceDi ode www. s hi ndengen. co. j p/ pr oduct / s emi / P9B40HP2 400V9A ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 Absol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 Tc＝25℃） ●電気的・熱的特性 El ect r i calChar act er i st i cs （指定のない場合 Tc＝25℃） Uni t ：mm ■外観図 OUTLI NE Package：FB ④ ③ ② ① 2.3 2.3 6.6 2.3 ① ② ③ ④ G D S D : : : : P9B40H2 000000 Type No. 品名略号 Date code ロット記号（例） 単位 Uni t 規格値 Rati ngs 条 件 Condi t i ons 記号 Symbol 項 目 I t em MAX TYP MIN V ─ ─ 400 ID＝1mA,VGS＝0V V（BR）DSS ドレイン・ソース間降伏電圧 Dr ai n- Sour ceBr eak downVol t age μA 100 ─ ─ VDS＝400V,VGS＝0V IDSS ドレイン遮断電流 Zer oGat eVol t ageDr ai nCur r ent ±10 ─ ─ VGS＝±25V,VDS＝0V IGSS ゲート漏れ電流 Gat e- Sour ceLeak ageCur r ent S ─ 7. 0 3. 5 ID＝4. 5A,VDS＝10V gfs 順伝達コンダクタンス For war dT r ans conduct ance Ω 0. 80 0. 65 ─ ID＝4. 5A,VGS＝10V R（DS）ON ドレイン・ソース間オン抵抗 St at i cDr ai n- Sour ceOn- st at eResi st ance V 4. 5 3. 75 3. 0 ID＝1mA,VDS＝10V VTH ゲートしきい値電圧 Gat eThr es hol dVol t age 1. 5 ─ ─ IS＝4. 5A,VGS＝0V VSD ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 Sour ce- Dr ai nDi odeFor wadeVol t age ℃/W 3. 12 ─ ─ 接合部・ケース間 J unct i ont ocas e θjc 熱抵抗 Ther mal Res i s t ance nC ─ 14. 5 ─ VDD＝320V,VGS＝10V,ID＝9A Qg ゲート全電荷量 T ot al Gat eChar ge pF ─ 575 ─ VDS＝50V,VGS＝0V,f＝1MHz Ci ss 入力容量 I nputCapaci t ance ─ 5 ─ Crss 帰還容量 Rev er s eT r ans f erCapaci t ance ─ 60 ─ Coss 出力容量 Out putCapaci t ance ns ─ 8. 5 ─ ID＝4. 5A,RL＝33. 3Ω,VDD＝150V, VGS（＋）＝10V,VGS（－）＝0V td （on） ターンオン遅延時間 T ur n- ondel ayt i me ─ 30 ─ tr 上昇時間 Ri s et i me ─ 50 ─ td （off） ターンオフ遅延時間 T ur n- of fdel ayt i me ─ 25 ─ tf 下降時間 Fal l t i me 特長 煙 高耐圧 煙 低ノイズ 煙 低オン抵抗 Feat ur e 煙 Hi ghVol t age 煙 LowNoi se 煙 LowRON PowerMOSFET （MOS-P〈2011.2〉） |
Аналогичный номер детали - P9B40HP2 |
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