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P9B40HP2 датащи(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

номер детали P9B40HP2
подробное описание детали  Power MOSFET
PDF  4 Pages
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производитель  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
домашняя страница  http://www.shindengen.co.jp/
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P9B40HP2 датащи(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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background image
www.
s
hi
ndengen.
co.
j
p/
pr
oduct
/
s
emi
/
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
０
１５
２０
１０
５
１８
０
１２
１６
８
４
出力特性
Typical Output Characteristics
０５
１０
２０
１５
Tc=25℃
TYP
V
VＧＧSS==５
５Ｖ
Ｖ
VＧS=５Ｖ
Pulse measurement
伝達特性
Transfer Characteristics
０５
１０
２０
１５
VDS=２０V
TYP
Ｔｃ=−５５
Ｔｃ=−５５℃
℃
２５
２５℃
℃
Ｔｃ=−５５℃
２５℃
Pulse measurement
１５０
 １５０℃
℃
１５０℃
１００
 １００℃
℃
１００℃
ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature
１
２
０．
１
２０
１０
５
０．
５
０．
２
０．
１ ０．
２
０．
５
２
１０ １６
５
１
VGS＝10V
Tc＝２５℃
TYP
Pulse measurement
１０
１
２
５
０．
１
０．
５
０．
２
−５５
０
１００
１５０
５０
−５５
０
１００
１５０
５０
VGS＝10V
TYP
Pulse measurement
ゲートしきい値電圧─ケース温度
Gate Threshold Voltage vs Case
Temperature
６
５
０
４
３
２
１
VDS＝１０V
ID=１mA
TYP
Pulse measurement
安全動作領域
Safe Operating Area
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
９
５０
２７
３６
１８
０．
０１
１
０．
１
１０
１
４００
１００
Tc＝２５℃
Single pulse
RRDS
DS（
（on
on）
）
Restricted
Restricted
space
space
RDS（on）
Restricted
space
DC
DC
DC
10ms
10ms
10ms
1ms
1ms
1ms
200μs
200μs
200μs
100μs
100μs
100μs
10μs
10μs
10μs
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
１００
０.００１
０.０１
１０
０.１
１
１０-４
１０-５
１０-３
１０-２
１０-１
１００
１０２
１０１
Time t〔s〕
キャパシタンス特性
Capacitance Characteristics
１００００
１０００
１００
１
１０
f＝１MHz
Tc＝２５℃
TYP
０
５０
３００
２５０
４００
３５０
１００
２００
１５０
０
１００
６０
８０
４０
２０
全損失減少率─ケース温度
Power Derating - Case Temperature
０
２５
５０
７５
１２５
１５０
１００
VVＧＧSS
VＧS
VVDS
DS
VDS
０
１５
２０
１０
５
ゲートチャージ特性
０
４００
２４０
３２０
１６０
８０
Gate Charge Characteristics
０５
１０
２０
２５
１５
ID=９A
TYP
VDD=100V
VGS=15V,-0V
Rg=60Ω
Drain Source Voltage VDS〔V〕
Gate Source Voltage VGS〔V〕
Drain Current ID〔A〕
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
Case Temperature Tc〔℃〕
Drain Source Voltage VDS〔V〕
Drain Source Voltage VDS〔Ｖ〕
Case Temperature Tc〔℃〕
Total Gate Charge Qg〔nC〕
V
VＧＧSS==６
６Ｖ
Ｖ
VＧS=６Ｖ
IIDD==４.５
４.５A
A
ID=４.５A
Ｖ
ＶＧＳ
ＧＳ
=１０Ｖ
=１０Ｖ
ＶＧＳ=１０Ｖ
８Ｖ
８Ｖ
８Ｖ
単発アバランシェ電流-インダクタンス
Single Avalanche Current vs Inductive Load
５０
０.１
１
５
９
２０
２
０.０1
０.1
０
１０
１００
Inductance L〔mH〕
EAR=3.7mJ
EEAS
AS
=3.7mJ
=3.7mJ
EAS=37mJ
IIAS
AS
=9A
=9A
IAS=9A
単発アバランシェエネルギー減少率 - チャネル温度
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
１００
０
８０
６０
４０
２０
０
５０
１００
１５０
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
VVDD
DD
==４００
４００Ｖ
Ｖ
２００
２００Ｖ
Ｖ
１００
１００Ｖ
Ｖ
VDD=４００Ｖ
２００Ｖ
１００Ｖ
P9B40HP2
（MOS-P〈2011.2〉）
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.



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